產(chǎn)地：武漢
規(guī)格：PMST2210
公司所在地：湖北武漢
電話(huà)：18140663476
IGBT/SiC MOS大功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)的簡(jiǎn)單介紹集多種測(cè)量和分析功能一體，可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類(lèi)型功率器件靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻、nA級(jí)漏電IGBT/SiC MOS大功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)的詳細(xì)信息IGBT/SiC MOS大功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)特點(diǎn) 高電壓：支持高達(dá)3.5KV高電壓測(cè)試（蕞大擴(kuò)展至12kV）；
測(cè)試項(xiàng)目 二極管：反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向電壓VF、 正向電流IF、電容值Cd、I-V曲線(xiàn)、C-V曲線(xiàn) 三極管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、 增益hFE，輸入特性曲線(xiàn)、輸出特性曲線(xiàn)、C-V特性曲線(xiàn) Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/、VGE(th)、IGSS/IGES柵極內(nèi)阻Rg、輸入電容Ciss/Cies、輸出電容、Coss/Coes、反向傳輸電容Crss/Cres、跨導(dǎo)gfs、輸出特性曲線(xiàn)、 轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)、C-V特性曲線(xiàn) 光耦(四端口以下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、輸入電容CT、輸出電容CCE、 電流傳輸比CTR、隔離電容CIO 測(cè)試夾具 以上是IGBT/SiC MOS大功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)的詳細(xì)信息，如果您對(duì)IGBT/SiC MOS大功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)的價(jià)格、廠家、型號(hào)、圖片有任何疑問(wèn)，請(qǐng)聯(lián)系我們獲取IGBT/SiC MOS大功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)的最新信息 |
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