半導體器件工作在大電流和高電壓的條件下，工作過程中功率的耗散會引起器件溫度的升高，因此器件在特定溫度下各項電學參數(shù)達標是器件正常工作基本的保障。對半導體器件進行高溫測試是檢測器件在特定溫度下各項電學參數(shù)是否達標的必要手段，高溫測試包括；飽和導通壓降測試、耐壓測試、短路耐量等靜態(tài)測試，開啟時間、關斷時間等的動態(tài)測試。

半導體試驗標準

國際電工委員會，關于半導體 高溫儲存試驗的標準

IEC 60749-6-2017 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存

IEC 60749-6-2017 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存

IEC 60749-6 Corrigendum 1-2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存

IEC 60749-6-2002 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存

韓國標準，關于半導體 高溫儲存試驗的標準

KS C IEC 60749-6-2004 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存

德國標準化學會，關于半導體 高溫儲存試驗的標準

DIN EN 60749-6-2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫儲存

法國標準化協(xié)會，關于半導體 高溫儲存試驗的標準

NF C96-022-6-2002 半導體裝置.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存

英國標準學會，關于半導體 高溫儲存試驗的標準

BS EN 60749-6-2002 半導體器件.機械和氣候試驗方法.高溫下儲存

歐洲電工標準化委員會，關于半導體 高溫儲存試驗的標準

EN 60749-6-2002 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存 部分替代EN 60749-1999+A1-2000+A2-2001;IEC 60749-6-2002