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儀表上游:中韓學者合作研發(fā)新一代柔性圖像傳感器材料

作者: 2017年04月19日 來源:化工儀器在線 瀏覽量:
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近日,合肥工業(yè)大學王敏、陳翌慶教授團隊與韓國成均館大學科研人員合作,首次制備出大晶粒非層狀結構的硒化鎳薄膜,并成功將其構筑為光探測器陣列,為新一代柔性圖像傳感器的研發(fā)提供了新方法。國際學術期刊《先進材

  近日,合肥工業(yè)大學王敏、陳翌慶教授團隊與韓國成均館大學科研人員合作,首次制備出大晶粒非層狀結構的硒化鎳薄膜,并成功將其構筑為光探測器陣列,為新一代柔性圖像傳感器的研發(fā)提供了新方法。國際學術期刊《先進材料》日前發(fā)表了該成果。

 圖像傳感器可以將光學圖像轉換為電子信息,在電子光學設備中應用廣泛。未來的可穿戴智能設備要求圖像傳感器具有柔性可以彎曲折疊,而目前在數(shù)碼相機中廣泛應用的集成圖像傳感器,由于不具有柔性難以滿足未來需求。目前研究認為,柔性低維材料是硅基底的理想替代者。

 合肥工業(yè)大學與韓國成均館大學近期組成聯(lián)合科研團隊,提出了一種新的界面限域外延生長方法,成功制備出高質量大晶粒非層狀結構硒化鎳薄膜。他們通過硒化鎳微米帶陣列的圖形化生長,構筑高性能且均勻性好的光探測器陣列,為柔性圖像傳感器的實現(xiàn)奠定了基礎。

 據(jù)介紹,由于這種新型材料薄膜的晶粒達到微米尺度,晶粒間的晶界減少,顯著降低了晶界對載流子的散射,從而大幅提高了光探測器的響應度。實驗結果表明,基于微米尺度晶粒的高質量硒化鎳薄膜所制備的光探測器,每瓦光照可以獲得150安培的電流,其響應度比納米尺度晶粒的薄膜提高了4個量級。

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