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材料
高速低功耗新型鈧銻碲相變存儲材料研究獲重要發(fā)現(xiàn)(2017-11-14)
集成電路產(chǎn)業(yè)是“十三五”國家戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)。存儲器是集成電路最重要的技術(shù)之一，是國家核心競爭力的重要體現(xiàn)。我國作為全球電子產(chǎn)品的制造基地，存儲器的自給能力還相對較弱。國外三星、英…[詳情]
新材料可大幅提高電子存儲速度(2017-11-14)
中國科學(xué)家在最新一期美國《科學(xué)》雜志上發(fā)表報告說，已開發(fā)出一種新型相變材料，有望將電子產(chǎn)品的存儲速度提高約70倍左右。 相關(guān)成果由中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所宋志棠團(tuán)隊取得。宋志棠等…[詳情]
高速低功耗新型鈧銻碲相變存儲材料研究獲重要發(fā)現(xiàn)(2017-11-13)
集成電路產(chǎn)業(yè)是“十三五”國家戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)。存儲器是集成電路最重要的技術(shù)之一，是國家核心競爭力的重要體現(xiàn)。我國作為全球電子產(chǎn)品的制造基地，存儲器的自給能力還相對較弱。國外三星、英…[詳情]
新材料可大幅提高電子存儲速度(2017-11-13)
中國科學(xué)家在最新一期美國《科學(xué)》雜志上發(fā)表報告說，已開發(fā)出一種新型相變材料，有望將電子產(chǎn)品的存儲速度提高約70倍左右。 相關(guān)成果由中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所宋志棠團(tuán)隊取得。宋志棠等…[詳情]
全國電磁屏蔽材料標(biāo)委會2017年年會順利召開(2017-11-09)
2017年10月31日至11月2日，全國電磁屏蔽材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC323)2017年年會在江蘇蘇州召開。來自企事業(yè)單位、科研院所的40名委員、技術(shù)代表、觀察員及專家參加了會議。會議由主任委員齊魯主持…[詳情]
合肥研究院光催化制氫材料研究獲進(jìn)展(2017-11-09)
近日，中國科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院應(yīng)用技術(shù)研究所先進(jìn)材料中心研究團(tuán)隊，在金屬/半導(dǎo)體復(fù)合光催化制氫材料研究方面取得了新進(jìn)展，相關(guān)研究成果以Photocatalytichydrogenproductionoverplasmonic…[詳情]
國家納米中心“活體自組裝”生物納米材料研究工作獲進(jìn)展(2017-11-09)
近日，中國科學(xué)院國家納米科學(xué)中心王浩課題組通過發(fā)展“活體自組裝”技術(shù)，在細(xì)胞內(nèi)構(gòu)建了不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的納米材料，并提出了全新的細(xì)胞內(nèi)原位聚合和組裝策略，為功能性納米材料的設(shè)計提供…[詳情]
合肥研究院在納米材料對放射性核素富集研究中獲進(jìn)展(2017-11-08)
近日，中國科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院等離子體物理研究所應(yīng)用等離子體研究室孫玉兵課題組在納米材料對放射性核素富集研究方面取得進(jìn)展。 科研人員近期合成了各種碳基復(fù)合材料，可以實(shí)現(xiàn)對放射性核…[詳情]
第三代半導(dǎo)體材料引發(fā)全球關(guān)注(2017-11-06)
日前，中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇在廣東省深圳市舉行，來自中國和歐洲從事碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體技術(shù)研究的200多位知名專家學(xué)者和產(chǎn)業(yè)界人士匯聚一堂，探討第三代半導(dǎo)體材料的前沿技術(shù)和發(fā)展…[詳情]
福建物構(gòu)所有機(jī)電致發(fā)光材料和器件研究取得進(jìn)展(2017-11-06)
有機(jī)電致發(fā)光二極管（OLED）在顯示和照明領(lǐng)域的具有巨大應(yīng)用潛力，而受到學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的廣泛關(guān)注。發(fā)光材料是OLED的核心部分，目前基于鉑系重金屬配合物的綠光、紅光材料器件的效率和穩(wěn)定性均已達(dá)到…[詳情]